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聚焦离子束(FIB)

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聚焦离子束(FIB

聚焦离子束(FIB)仪器采用细微的聚焦离子束对样品进行加工,主要用于制备非常精准的样品横切面以用于随后的SEMSTEMTEM成像。另外,FIB可以直接探测发射电子用于直接成像。FIB的对比机制不同于SEMSTEM 因此对一些特定的样品,FIB能提供独特的信息。双束FIB/SEM技术整合这两种技术为一种分析工具,因此可同时用于试样制备和SEM成像。

作为一种试样的制备工具,FIB能够准确制备复杂的横切面试样,诸如:

  • FIB已经革新了TEM样品制备功能,使它能够识别亚微米特征并精确地制备横切面。
  • FIB制备的截面被广泛应用于SEM中; FIB制备,SEM成像、成份分析都可以在这一多技术支持工具上进行。
  • FIB制备的样品也可用俄歇电子能谱仪表征不同层元素的组成。
  • 在半导体行业用来做次表面颗粒识别。
  • 对于难以制备截面的产品(比如难以抛光、质软的聚合物),它是一个很好的工具。

技术参数

信号检测: 电子

深度分辨率5 ? 15 Ǻ (二次电子) <2μm (背散电子)

横向分辨率/束斑尺寸:大于等于7nm

主要应用

  • SEM, STEMTEM 样品准备
  • 具有小面积、精细特征样品的高分辨率切面成像
  • 芯片电路改装

相关行业应用

  • 生物医学/生物技术
  • 数据存储
  • 光学
  • 导体
  • 电信

分析的优势

  • 分析截面上精密结构的最好方法
  • 快速,高分辨率成像
  • 良好晶粒对比成像
  • 支持许多种工具的多功能平台

分析的局限性

  • 要求真空兼容性
  • 成像可能会影响随后的分析
  • 残留在分析表面的Ga元素
  • 离子束损伤可能影响成像分辨率
  • 横截面面积现对较小
 

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